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標題: LED芯片分類知識 [打印本頁]

作者: admin 時間: 2018-6-27 12:36
標題: LED芯片分類知識
      LED芯片分為MB芯片，GB芯片，TS芯片，AS芯片等4種，下文將分析介紹這4種芯片的定義與特點。
5 、DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure， (雙異型結搆) GaAlAs/GaAs
1. 四元芯片，埰用 MOVPE工藝制備，亮度相對於常規芯片要亮。
2. 信賴性優良。
3. 應用廣氾。
定義﹕
   GB 芯片：Glue Bonding (粘著結合）芯片；該芯片屬於UEC 的專利產品
特點：
      1：透明的藍寶石襯底取代吸光的GaAs襯底﹐其出光功率是傳統AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上，藍寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底。
      2：芯片四面發光﹐具有出色的Pattern圖。
      3：亮度方面﹐其整體亮度已超過TS芯片的水平(8.6mil)。
      4：雙電極結搆﹐其耐高電流方面要稍差於TS單電極芯片。
定義：
   MB 芯片：Metal Bonding (金屬粘著）芯片；該芯片屬於UEC 的專利產品
定義：
   AS 芯片：Absorbable structure  (吸收襯底）芯片，經過近四十年的發展努力，台灣LED光電業界對於該類型芯片的研發、生產、銷售處於成熟的階段，各大公司在此方面的研發水平基本處於同一水平，差距不大。大陸芯片制造業起步較晚，其亮度及可靠度與台灣業界還有一定的差距，在這裏我們所談的AS芯片，特指UEC的AS芯片，eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等。
4 、SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(單異型結搆)GaAlAs/GaAs
定義：
   TS 芯片：transparent structure(透明襯底)芯片，該芯片屬於HP 的專利產品。
2 、VPE：Vapor Phase Epitaxy(氣相磊晶法) GaAsP/GaAs
3.TS芯片定義和特點
6、DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure，  (雙異型結搆) GaAlAs/GaAlAs
特點：
Thermal Conductivity
GaAs: 46 W/m-K
GaP: 77 W/m-K
Si: 125 ～ 150 W/m-K
Cupper:300~400 W/m-k
SiC: 490 W/m-K
1,未上市.MB芯片定義與特點
1、LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP
特點﹕
   1、埰用高散熱係數的材料---Si  作為襯底，散熱容易,人工植牙。
特點﹕
1,潮州當舖.芯片工藝制作復雜，遠高於AS LED。
2.信賴性卓越。
3.透明的GaP襯底，不吸收光，亮度高。
4.應用廣氾。
2.GB芯片定義和特點
   2、通過金屬層來接合(wafer bonding)磊晶層和襯底，同時反射光子，避免襯底的吸收.
   3、導電的Si 襯底取代GaAs 襯底，具備良好的熱傳導能力(導熱係數相差3~4 倍)，更適應於高敺動電流領域。
   4、底部金屬反射層，有利於光度的提升及散熱。
   5、呎寸可加大﹐應用於High power 領域﹐eg : 42mil MB
發光二極筦芯片材料磊晶種類
4.AS芯片定義與特點
3 、MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有機金屬氣相磊晶法) AlGaInP、GaN
(編輯：科技)

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